Geçtiğimiz Şubat ayında HBM4 belleklerinin seri üretimine başlayan ve müşterilerine sevkiyat yapan Güney Koreli teknoloji devi, “yılın ilerleyen dönemlerinde” göndermeyi vadettiği geliştirilmiş HBM4E (High Bandwidth Memory 4 Extended) örneklerini (samples) resmi olarak teknoloji ortaklarına dağıtmaya başladı.
HBM4 mimarisinin üzerine inşa edilen bu yeni nesil bellek varyantı; katman sayısı aynı kalmasına rağmen %33 daha fazla kapasite, %20 daha yüksek hız ve gelişmiş termal kararlılık sunarak yapay zeka hızlandırıcılarının performans limitlerini yeniden tanımlıyor.
Katman Başına Daha Yüksek Yoğunluk
Bellek pazarında fiziksel dikey alanı (Z-height) artırmadan kapasiteyi büyütmek en zorlu mühendislik adımlarından biridir. Samsung, HBM4E tasarımında halihazırda olgunlaşan 12 katmanlı (12-layer) fiziksel geometrisini koruyor; ancak katman başına düşen yoğunluğu artırarak toplam yığın kapasitesini 36GB’tan 48GB seviyesine (resmen %33 artış) çıkarıyor.
Kurumsal müşterilerin farklı donanım tasarımları yapabilmesi adına Samsung, yelpazeyi genişletmeyi de ihmal etmiyor:
8 Katmanlı (8-layer) Varyant: 32GB kapasite (Daha kompakt ve maliyet odaklı sistemler için).
12 Katmanlı (12-layer) Ana Varyant: 48GB kapasite (Mevcut örnekleri dağıtılan amiral gemisi konfigürasyon).
16 Katmanlı (16-layer) Gelecek Varyantı: 64GB kapasite (Geliştirme aşamasında olan, ultra yoğun veri merkezleri için tepe model).
4nm Mantık Tabanı ve 1c Teknolojisinin Evliliği
HBM4E’nin arkasındaki saf mimari güç, Samsung’un iki gelişmiş üretim düğümünün (node) bir araya getirilmesiyle oluşuyor. Bellek zarları (memory dies) için 6. nesil “1c” (10nm sınıfı) üretim teknolojisi kullanılırken, en alttaki kritik mantık taban zarı (logic base die) için 4nm fabrikasyon süreci tercih edilmiş.